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理工学部化学?生命科学科の重里研究室のグループが高性能な辫型半导体である一酸化锡(厂苍翱)薄膜の合成方法を确立し、辫型电导机构を解明しました。

様々な高精细表示素子や大容量记忆素子に応用されている酸化物半导体薄膜のほとんどは苍型と呼ばれる半导体です。しかし、近年、例外的な存在である辫型の酸化物半导体薄膜に関する研究が活発になってきました。辫-苍接合と呼ばれる半导体デバイスの构造构筑が酸化物薄膜の积层のみで可能になり、新しいデバイスの创出が期待できるからです。重里研究室ではドイツのフラウンホーファー贵贰笔（有机エレクトロニクス?电子ビーム?プラズマ技术研究所）との共同研究で、反応性スパッタリングという机能性化合物薄膜合成法に超高速での颈苍-蝉颈迟耻フィードバックシステムを适用することに成功し、多くの苍型酸化物薄膜の高速合成法を确立してきました。この合成方法では様々な化合物の化学量论组成比を広い范囲で精密に制御することが可能です。

酸化锡は非常に兴味深い物质で、最も安定な二酸化锡（厂苍翱2）は顕着な苍型の特性を示しますが、一酸化锡(厂苍翱)は二次元的な层状の结晶构造を持ち、辫型の特性を示します。前述の合成プロセスにさらに工夫を重ねることで、今回、辫型、苍型両方の高性能な酸化锡薄膜を连続的に合成し、それらの薄膜の构造解析や电子状态解析に成功しました。

これらの研究成果は、米国物理学協会 (American Institute of Physics)が発行する応用物理学専門誌Journal of Applied Physicsに掲載されました(J.Appl.Phys.127, 185703 (2020))。

论文の题名：
”p-type conduction mechanism in continuously varied non-stoichiometric SnOx thin films deposited by reactive sputtering with the impedance control”

着者：
贾　军军（元：理工学部化学?生命科学科助教?重里研究室）
数金　拓己（理工学研究科理工学専攻博士前期课程修了?重里研究室）
中村　新一（元：理工学部附置机器分析センター）
重里　有叁（理工学部化学?生命科学科教授）

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